Dispositivos de lógica spin-órbita magnetoelétrica (LSOM) combinam dois mecanismos tecnologicamente escaláveis, o efeito magnetoelétrico (magnetoelectric effect – ME effect) e o acoplamento spin-órbita (spin-orbit coupling – SOC), para formar uma tecnologia promissora de armazenamento e processamento de dados com ultrabaixo consumo de energia, que tem o potencial de substituir os circuitos lógicos CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) tradicionais, que são a base de todos os processadores modernos e alimentam o enorme setor de tecnologia da informação e comunicações. 

Neste contexto, este projeto unirá os esforços para o processamento e caracterização de materiais magnetoelétricos de alta entropia, o que configura uma abordagem inédita em nosso país, para alcançar a propriedade crucial em LSOM, que é a reversão completa (180°) e eficiente da magnetização para tornar, de fato, as células spin-órbita bipolares e, assim, permitir a construção em cascata de dispositivos SOM em circuitos lógicos. Para tanto, diferentes materiais multiferroicos de alta entropia serão processados e estudados.